ຜະລິດຕະພັນ

ພວກເຮົາໄດ້ສຶກສາ electrode ຟິມ nanocarbon ທີ່ doped ໄນໂຕຣເຈນທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງໄນໂຕຣເຈນຕ່ໍາກວ່າ 10.9 ທີ່% ທີ່ສ້າງຂຶ້ນໂດຍວິທີການ sputtering magnetron (UBM) ທີ່ບໍ່ສົມດຸນ.ເນື້ອໃນ sp(3) ໃນຟິມ nanocarbon sputtering UBM (ຟິມ N-UBM) ທີ່ມີທາດໄນໂຕຣເຈນເພີ່ມຂຶ້ນເລັກນ້ອຍກັບຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງໄນໂຕຣເຈນທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.ຄວາມຜູກພັນຄ້າຍຄື graphite ທີ່ມີໄນໂຕຣເຈນຫຼຸດລົງແລະຄວາມຜູກພັນຄ້າຍຄື pyridine ເພີ່ມຂຶ້ນດ້ວຍການເພີ່ມຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງໄນໂຕຣເຈນ.ຟິມ N-UBM ມີພື້ນຜິວທີ່ລຽບຫຼາຍທີ່ມີຄວາມຫຍາບສະເລ່ຍຂອງ 0.1 ຫາ 0.3 nm, ເຊິ່ງເກືອບເປັນເອກະລາດຂອງຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງໄນໂຕຣເຈນ.electrode ຟິມ N-UBM ສະແດງໃຫ້ເຫັນປ່ອງຢ້ຽມທີ່ມີທ່າແຮງກວ້າງກວ່າ (4.1 V) ກ່ວາ electrode ຟິມ UBM ບໍລິສຸດ (3.9 V) ເນື່ອງຈາກເນື້ອໃນ sp(3) ເພີ່ມຂຶ້ນເລັກນ້ອຍ.ກິດຈະກໍາ electrocatalytic ເພີ່ມຂຶ້ນດ້ວຍການເພີ່ມຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງໄນໂຕຣເຈນ, ແນະນໍາວ່າ electroactivity ແມ່ນສູງສຸດໃນເວລາທີ່ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງໄນໂຕຣເຈນແມ່ນປະມານ 10.9 ໃນ%, ເຊິ່ງຢືນຢັນໂດຍການແຍກສູງສຸດຂອງ Fe(CN)6(4-).ທ່າແຮງການຫຼຸດຜ່ອນ hydrogen peroxide (H2O2) ຢູ່ electrode ຟິມ N-UBM ປ່ຽນປະມານ 0.1 V, ແລະກະແສໄຟຟ້າສູງສຸດຂອງ H2O2 ເພີ່ມຂຶ້ນປະມານ 4 ເທົ່າ.